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WST2333B
P沟道 耐压:15V 电流:4.4A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -15 VGS(V) 12 ID(A)Max. -4.4 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.35V 40 Qg(nC)@4.5V 7.8 QgS(nC) 1.2 Qgd(nC) 1.6 Ciss(pF) 738 Coss(pF) 280 Crss(pF) 190
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2333B
- 商品编号
- C2906358
- 商品封装
- SOT-23N
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
WSF20N20G 是 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-提供环保型器件
应用领域
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)