WSP4435A
P沟道 耐压:30V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -8 VGS(th)(v) -2 RDS(ON)(m?)@4.307V 25 Qg(nC)@4.5V 21 QgS(nC) 2.6 Qgd(nC) 6.2 Ciss(pF) 1000 Coss(pF) 210 Crss(pF) 150
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4435A
- 商品编号
- C2906352
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
WSTBSS123是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSTBSS123符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
- 用于笔记本电脑（MB）、上网本（NB）、超便携个人电脑（UMPC）和显卡（VGA）的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关