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WST3420
N沟道 耐压:20V 电流:4.4A
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- 描述
- WST3420是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST3420符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全面的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST3420
- 商品编号
- C2906301
- 商品封装
- SOT-23N
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 382pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
WST2319是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST2319符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关