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WST2302
N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 3 VGS(th)(v) 0.85 RDS(ON)(m?)@4.26V 70 Qg(nC)@4.5V 5.4 QgS(nC) 0.44 Qgd(nC) 1 Ciss(pF) 320 Coss(pF) 35 Crss(pF) 22
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2302
- 商品编号
- C2906353
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
WSP4435A是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP4435A符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关