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IRLML6401TRPBF-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLML6401TRPBF-JSM
- 商品编号
- C2874694
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NexFET功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
商品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 低热阻，雪崩级
- 无铅端子镀层，符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 为控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化