温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSK5N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSK5N04是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSK5N04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK5N04
- 商品编号
- C28314510
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 452pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
台式计算机或 DC/DC 转换器中的电源管理。
- 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术