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HSBA6256
双N沟道,电流:50A,耐压:60V
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- 描述
- 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低导通电阻RDS(ON)。100%保证雪崩耐量。有环保器件可供选择
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6256
- 商品编号
- C28314521
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.221667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 478pF |
商品特性
- 先进的SGT MOS技术
- 低栅极电荷
- 低RDS(ON)
- 100% EAS保证
- 有绿色环保器件可选
应用领域
- 电机控制
- DC/DC转换器
- 同步整流应用