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SP40N08NJ
N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 特性：快速开关速度。 低导通电阻。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：DC-DC转换器。 电源管理
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP40N08NJ
- 商品编号
- C28312273
- 商品封装
- PDFNWB-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0554克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 124pF |
商品概述
HSM4P10D采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷，适用于各种其他应用。 HSM4P10D符合RoHS和绿色产品要求，100%通过EAS测试，具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术