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HSX044N25实物图
  • HSX044N25商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSX044N25

1个N沟道 耐压:250V 电流:55A

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描述
HSX044N25是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSX044N25符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSX044N25
商品编号
C28314526
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.086667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))44mΩ@10V
耗散功率(Pd)350W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
栅极电荷量(Qg)155nC@10V
输入电容(Ciss)8.547nF@50V
反向传输电容(Crss)85pF@50V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 专为线性工作设计
  • 符合国际标准封装
  • 雪崩额定
  • 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 75°C时保证正向偏置安全工作区(FBSOA)

应用领域

  • 固态断路器
  • 软启动控制
  • 线性放大器
  • 可编程负载
  • 电流调节器

数据手册PDF