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HSMA4086
1个N沟道 耐压:40V 电流:330A
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- 描述
- 100% UIS 测试；先进的沟槽技术；低栅极电荷；高电流能力；符合 RoHS 和无卤素标准
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSMA4086
- 商品编号
- C28314527
- 商品封装
- LFPRAK-8(5x6)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.352克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.119nF |
商品概述
HSCB1214 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷性能。 HSCB1214 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-提供绿色环保器件-出色的 Cdv/dt 效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术