HSCB3014
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSCB3014 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSCB3014 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,通过全功能可靠性认证,保证 100% 无铅。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB3014
- 商品编号
- C28314513
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
- 先进沟槽MOS技术
- 低栅极电荷
- 低 RDS(on)
- 100%保证耐雪崩能力
- 有环保型器件可选
应用领域
- 电机控制-DC/DC转换器-同步整流应用
