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HSCB3014实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSCB3014

1个N沟道 耐压:30V 电流:10A

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描述
HSCB3014 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSCB3014 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,通过全功能可靠性认证,保证 100% 无铅。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSCB3014
商品编号
C28314513
商品封装
DFN2x2-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0367克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)26W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.63nC@4.5V
输入电容(Ciss)940pF
反向传输电容(Crss)109pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)131pF

商品概述

  • 先进沟槽MOS技术
  • 低栅极电荷
  • 低 RDS(on)
  • 100%保证耐雪崩能力
  • 有环保型器件可选

应用领域

  • 电机控制-DC/DC转换器-同步整流应用

数据手册PDF