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HSCB10P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- HSCB10P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSCB10P02符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB10P02
- 商品编号
- C28314515
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 584pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 689pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 低导通电阻
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理