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HSU3119
1个P沟道 耐压:30V 电流:130A
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- 描述
- HSU3119 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU3119 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩能量（EAS）测试，且具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU3119
- 商品编号
- C28314522
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51896克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.7nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.21nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 100%单脉冲雪崩耐量测试
- 先进沟槽技术
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%单脉冲雪崩耐量测试
- 先进沟槽技术
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 开关电源同步整流-DC/DC转换器-或门二极管应用