温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSBB60P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSBB60P02是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB60P02符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB60P02
- 商品编号
- C28314516
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.883nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 611pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 689pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽工艺和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 20A，VGS = 10V时，RDS(ON) < 6.5mΩ
- 栅极电荷低
- 有环保器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽工艺，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好