温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSK5P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSK5P10是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSK5P10符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK5P10
- 商品编号
- C28314511
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 20A，当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 6.5mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型产品。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。