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HSCB1214
1个P沟道 耐压:12V 电流:14A
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- 描述
- HSCB1214是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSCB1214符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB1214
- 商品编号
- C28314514
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 294pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSCB10P02是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSCB10P02符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术