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OSG55R074HSZF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

OSG55R074HSZF

增强模式N沟道功率MOSFET,电流:47A,耐压:550V

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商品型号
OSG55R074HSZF
商品编号
C2762899
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))74mΩ@10V
耗散功率(Pd)278W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@1mA
栅极电荷量(Qg)67.7nC@10V
输入电容(Ciss)3.9155nF
反向传输电容(Crss)9.3pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术,实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS E系列针对其开关特性进行了优化,以实现电磁干扰(EMI)和效率之间的平衡。其设计使电源系统在满足EMI标准的同时达到最高效率。

商品特性

  • 低漏源导通电阻(RDS(ON))和品质因数(FOM)
  • 极低的开关损耗
  • 出色的稳定性和一致性
  • EMI与性能达到平衡

应用领域

-LED照明-充电器-适配器-电视电源-电信电源-服务器电源-太阳能/不间断电源(UPS)

数据手册PDF