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OSG65R380FEF
增强模式N通道功率MOSFET 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 11A、导通电阻(RDS(on)) : 0.38Ω@10V、耗散功率(Pd) : 31W
- 商品型号
- OSG65R380FEF
- 商品编号
- C2762902
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 761.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- 具有低漏源导通电阻 (RDS(on)) 的 N 沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 具备静电放电 (ESD) 保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超便携式电子产品的电池管理