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8205A
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 高密度电池设计，可实现极低的RDS。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 8205A
- 商品编号
- C2762931
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 522.3pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 74.69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品特性
- 低导通电阻高密度超低电阻设计
- 2.5V 栅极驱动
- 低驱动电流
- 封装形式：TSSOP-8/SOT-23-6
优惠活动
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