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SFG08R06DF
增强模式N通道功率MOSFET,电流:100A,耐压:80V
- 商品型号
- SFG08R06DF
- 商品编号
- C2762909
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 148W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8699nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.3042nF |
商品概述
SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计,实现了低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低 Vth 系列专为低驱动电压的同步整流系统进行了特别优化。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
- PD 充电器
- 电机驱动器
- 开关稳压器
- DC-DC 转换器
- 开关模式电源