8205S
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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描述
适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 品牌名称JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
8205S商品编号
C2762930商品封装
SOT-23-6包装方式
编带
商品毛重
0.041克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,5A | |
功率(Pd) | 2W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.24nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 522.3pF@8V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 74.69pF@8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
配置 | 共漏 |
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折合1圆盘
10+¥0.17408¥0.256
100+¥0.14178¥0.2085
300+¥0.125596¥0.1847
3000+¥0.102816¥0.1512¥453.6
6000+¥0.09316¥0.137¥411
9000+¥0.088264¥0.1298¥389.4
优惠活动
库存总量
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760
江苏仓
4,500
SMT仓
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购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 10 个 )
个
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