温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SFG10S10PF
增强型N沟道功率MOSFET,电流:60A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 商品型号
- SFG10S10PF
- 商品编号
- C2762911
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.998nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ATM2N65TD 是一款高压功率 MOSFET，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC - DC 转换器和桥式电路等高速开关应用。
商品特性
- 当 VGS = 10 V 时，RDS(ON) < 5.0 Ω
- 超低栅极电荷（典型值 45 nC）
- 低反向传输电容（CRSS 典型值 9 pF）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善 dv/dt 能力，高抗扰性
应用领域
- 电源
- PWM 电机控制
- 高效 DC - DC 转换器
- 桥式电路