温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SFS06R03DF
增强模式N通道功率MOSFET 耐压:60V 电流:160A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FSMOS 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）基于东方半导体独特的器件设计，可实现低导通电阻 RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流电源系统而设计。
- 商品型号
- SFS06R03DF
- 商品编号
- C2762912
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 168W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF |
相似推荐
其他推荐