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OSG65R290DEF

N沟道,电流:15A,耐压:650V

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品牌名称: ORIENTAL SEMI(东微)
商品型号: OSG65R290DEF
商品编号: C2762904
商品封装: TO-252-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.5克(g)

商品参数

商品概述

GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术,实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS E系列针对其开关特性进行了优化,以实现电磁干扰(EMI)和效率之间的平衡。其设计使电源系统在满足EMI标准的同时达到最高效率。

商品特性

低RDS(ON)和品质因数(FOM)
极低的开关损耗
出色的稳定性和一致性
EMI与性能达到平衡

应用领域

-LED照明-充电器-适配器-电视电源-电信电源-服务器电源-太阳能/不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	290mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	104W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.7V
	栅极电荷量(Qg)	21nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.079nF
	反向传输电容(Crss)	2.1pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道