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OSG70R600FF
增强模式N沟道功率MOSFET 耐压:700V 电流:8A
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- 描述
- 高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
- 商品型号
- OSG70R600FF
- 商品编号
- C2762906
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 587.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40.1pF |
商品概述
SVT044R5NT/D/L5是一款采用士兰微（SILAN）低压MOS（LVMOS）技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。 该器件广泛应用于不间断电源（UPS）和逆变器系统电源管理。
商品特性
- 178A，40V
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容（Crss）
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 不间断电源(UPS)-逆变器系统电源管理