2EDL05N06PF
集成自举二极管(BSD)的600 V半桥栅极驱动器
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- 描述
- 是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外,离线钳位功能在 IC 未供电时,通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2EDL05N06PF
- 商品编号
- C2676912
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 700mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 360mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 48ns | |
| 下降时间(tf) | 24ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 600V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET |
| 电流-峰值输出(灌入,拉出) | - |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 供应商器件封装 | 8-DSO |
| 上升/下降时间(典型值) | 48ns,24ns |
| 电压-供电 | 10V ~ 20V |
| 逻辑电压?-VIL,VIH | 1.1V,1.7V |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交4单
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