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2EDL23I06PJXUMA1
集成自举二极管的600 V半桥栅极驱动器
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- 描述
- 2EDL系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2EDL23I06PJXUMA1
- 商品编号
- C2676931
- 商品封装
- DSO-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.8A | |
| 工作电压 | 10V~17.5V | |
| 上升时间(tr) | 48ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 37ns | |
| 传播延迟 tpLH | 280ns | |
| 传播延迟 tpHL | 260ns | |
| 特性 | 过流保护(OCP)；欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 340uA |
商品概述
2EDL系列器件可控制功率器件，如半桥配置中最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。 两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电平低至3.3 V。该器件包含一个具有迟滞特性的欠压检测单元，针对IGBT或MOSFET进行了优化。 专为IGBT设计的器件具有不对称的欠压锁定电平，可有力支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在IC未通过VDD供电时，能为晶体管提供固有保护，防止因栅极浮空导致的寄生导通。
商品特性
- 英飞凌薄膜SOI技术
- 最高可在+600 V下完全正常工作
- 集成超快、低RDS(ON)自举二极管
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 输出源/灌电流能力为+1.8 A / -2.5 A
- 基于SOI技术，可耐受高达 -100 V的负瞬态电压（脉冲宽度最长为300 ns）
- 具备互锁、使能、故障和过流保护功能
- 典型传播延迟匹配为10 ns，最大为60 ns
- dV/dt抗扰度为±50 V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动
- 通用逆变器
- 制冷压缩机
- 家用电器
- 电信和照明用离线AC-DC电源中的半桥和全桥转换器