IXDD604SIATR
- 1+: ¥9.88 / 个
- 10+: ¥8.4 / 个
- 30+: ¥7.58 / 个
- 100+: ¥6.66 / 个
- 500+: ¥6.25 / 个
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 栅极驱动IC | |
驱动配置 | 低边 | |
负载类型 | MOSFET;IGBT | |
驱动通道数 | 2 | |
峰值灌电流 | 4A | |
峰值拉电流 | 4A | |
电源电压 | 4.5V~35V | |
上升时间 | 9ns | |
下降时间 | 8ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
安装类型 | 表面贴装型 |
驱动配置 | 低端 |
输入类型 | 非反相 |
通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
上升/下降时间(典型值) | 9ns,8ns |
电压-供电 | 4.5V ~ 35V |
逻辑电压?-VIL,VIH | 0.8V,3V |