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LM5102MM/NOPB

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描述: LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5102MM/NOPB
商品编号: C2676954
商品封装: VSSOP-10-0.5mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.225克(g)

商品参数

商品概述

LM5102高压栅极驱动器旨在驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。浮动高端驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作。输出可独立控制。每个输出的上升沿可通过编程电阻独立延迟。集成了高压二极管，用于为高端栅极驱动自举电容充电。强大的电平转换器可高速运行，同时功耗低，并能将控制逻辑信号干净地转换为高端栅极驱动器的电平。低端和高端电源轨均设有欠压锁定功能。该器件提供标准的VSSOP 10引脚和WSON 10引脚封装。

商品特性

驱动高端和低端N沟道MOSFET
高端和低端上升沿延迟可独立编程
自举电源电压范围高达118 V直流
快速关断传播延迟（典型值25 ns）
可驱动1000 pF负载，上升和下降时间为15 ns
电源轨欠压锁定
低功耗
定时器可在序列中途终止

应用领域

电流馈电推挽式电源转换器
半桥和全桥电源转换器
同步降压转换器
双开关正激式电源转换器
有源钳位正激式转换器

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(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)

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起订量：1 个1000个/圆盘

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	550mA
	工作电压	9V~14V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	600ns
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpHL	27ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	400uA