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DGD0507AFN-7
高频高端和低端栅极驱动器
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- 描述
- 特性：50V浮动高端驱动器，可在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET。 1.5A源电流/2.0A灌电流输出能力。 内置自举二极管。 高端和低端驱动器具有欠压锁定功能。 典型延迟匹配为5ns。 典型传播延迟为20ns。应用：DC-DC转换器。 电机控制
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD0507AFN-7
- 商品编号
- C2676972
- 商品封装
- DFN3030-10-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 8V~14V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 16ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 23ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 50V浮动高端驱动器，可在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET
- 1.5A源极 / 2.0A灌电流输出能力
- 包含内部自举二极管
- 高端和低端驱动器具有欠压锁定功能
- 典型延迟匹配为5ns
- 典型传播延迟为20ns
- 逻辑输入（HIN、LIN和EN）具备3.3V能力
- 超低待机电流(<1μA)
- 扩展温度范围：-40℃至+125℃
- 完全无铅且完全符合RoHS标准，无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 电池供电手持工具
- eCig设备
- D类功率放大器