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DGD2136MS28-13
DGD2136MS28-13
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- 描述
- 是一款三相栅极驱动IC，专为高压/高速应用而设计，以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使高端在自举操作中可切换至600V。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口，且低电平使能，以便在高噪声环境中更好地工作。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD2136MS28-13
- 商品编号
- C2677189
- 商品封装
- SOIC-28-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 350mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 90ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
DGD2136M是一款三相栅极驱动IC，专为高压/高速应用而设计，用于以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2136M的高端在自举操作中能够切换至600V。 DGD2136M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口，并且低电平使能，以在高噪声环境中更好地工作。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在将驱动器的交叉导通降至最低。 DGD2136M具备多种保护功能。直通保护逻辑可防止在两个输入均为高电平（故障状态）时两个输出都为高电平；VCC欠压锁定功能会关闭相应的高端输出；过流保护会终止六个输出。VCC欠压锁定和过流保护都会触发自动故障清除，其定时可通过外部电容进行调节。 DGD2136M采用SO - 28封装，工作温度范围为 - 40℃至 + 125℃。
商品特性
- 三个浮动高端驱动器，自举操作电压可达600V
- 200mA源电流/350mA灌电流输出能力
- 输出可耐受负瞬变，抗dV/dt干扰
- 逻辑输入支持3.3V
- 290ns的内部死区时间，用于保护MOSFET和IGBT
- 所有通道的传播延迟匹配
- 输出与输入反相
- 施密特触发逻辑输入
- 交叉导通预防逻辑
- 所有通道均具备欠压锁定功能
- 过流保护可关闭驱动器
- 扩展温度范围： - 40℃至 + 125℃
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 三相电机逆变器驱动器
- 白色家电——空调、洗衣机、冰箱
- 工业电机逆变器——电动工具、机器人
- 通用三相逆变器