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ISL6625ACRZ-TK实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISL6625ACRZ-TK

ISL6625ACRZ-TK

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商品型号
ISL6625ACRZ-TK
商品编号
C2677215
商品封装
DFN-8-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
拉电流(IOH)-
属性参数值
工作电压5.5V~13.2V
上升时间(tr)31ns
下降时间(tf)18ns
特性-
工作温度0℃~+125℃@(Tj)

商品概述

ISL6625A是一款高频MOSFET驱动器,专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET而设计。 在ISL6625A中,上下栅极均被驱动至外部施加的电压。这使得在栅极电荷和传导损耗之间进行权衡的应用能够得到优化。 集成了先进的自适应直通保护功能,可防止上下MOSFET同时导通,并将死区时间降至最低。ISL6625A集成了一个10kΩ的高端栅源电阻,以防止因高输入总线dV/dt导致的自导通。 该驱动器还具备过压保护功能,当VCC低于上电复位(POR)阈值时,此功能仍可正常工作。PHASE节点通过一个30kΩ电阻连接到低端MOSFET的栅极(LGATE),将转换器的输出电压限制在接近低端MOSFET的栅极阈值。这取决于分流电流,若高端MOSFET发生短路,可为负载提供一定保护。

商品特性

  • 用于同步整流桥的双MOSFET驱动
  • 先进的自适应零直通保护
    • PHASE检测
    • LGATE检测
    • rDS(ON)传导偏移效应自动归零
  • 低待机偏置电流
  • 36V内部自举开关
  • 防止自举电容过充电
  • 集成高端栅源电阻,防止因高输入总线dV/dt导致的自导通
  • 启动和关断时的预POR过压保护
  • 电源轨欠压保护
  • 可扩展底部铜焊盘,增强散热性能
  • 双扁平无引脚(DFN)封装——接近芯片级封装尺寸;提高PCB效率,外形更薄
  • 无铅(符合RoHS标准)

应用领域

  • 高光负载效率电压调节器
  • 先进微处理器的核心调节器
  • 大电流DC/DC转换器

数据手册PDF

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