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ISL6208CHRZ-T

ISL6208CHRZ T

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6208CHRZ-T
商品编号: C2677274
商品封装: DFN-8-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL6208C是一款高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案。 ISL6208C的下栅极驱动器典型灌电流为4A。该电流能够在相节点上升沿期间使下MOSFET栅极保持关断状态，从而防止因相电压的高dv/dt导致的直通功率损耗。其工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。 ISL6208C还具备三态PWM输入，与英特矽尔的多相PWM控制器协同工作，可防止CPU关机时出现负电压输出。这一特性省去了微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管。使用ISL6208C可高效切换MOSFET栅极，频率高达2MHz。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为8ns，转换时间小于10ns。采用内部肖特基二极管实现自举，降低了系统成本和复杂度，同时允许使用更高性能的MOSFET。集成了自适应直通保护功能，防止两个MOSFET同时导通。 ISL6208C集成了二极管仿真功能，可在轻载条件下提高转换器效率。该功能还允许在预偏置输出情况下实现单调启动。启用二极管仿真时，驱动器通过检测电感电流何时达到零并随后关断低端MOSFET栅极，实现不连续导通模式。

商品特性

用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
自适应直通保护
0.5Ω导通电阻和4A灌电流能力
支持高达2MHz的高开关频率
快速的输出上升和下降时间
低传播延迟
用于功率级关断的三态PWM输入
内部自举肖特基二极管
低偏置电源电流（5V，80μA）
二极管仿真，提高轻载效率和预偏置启动应用性能
集成VCC上电复位（POR）功能
低三态关断延迟时间（典型值160ns）
与ISL6207引脚兼容
DFN封装
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔（Intel）和AMD移动微处理器的核心电压电源
高频薄型DC/DC转换器
大电流低输出电压DC/DC转换器
高输入电压DC/DC转换器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	20A

	属性	参数值
	工作电压	4.5V~5.5V
	下降时间(tf)	8ns
	工作温度	-40℃~+100℃