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ISL83202IBZT

55V、1A 峰值电流 H 桥 FET 驱动器

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描述: ISL83202是一款中频H桥FET驱动器，其峰值驱动电流可达1A（典型值），旨在驱动中压应用中的高端和低端N沟道MOSFET。该器件针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现基于电桥的简单灵活设计。ISL83202的典型输入至输出传播延迟低至25ns，用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs，非常适合高达200kHz的开关频率
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL83202IBZT
商品编号: C2677313
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL83202是一款中频H桥FET驱动器，峰值驱动电流可达1A（典型值），专为中压应用中的高端和低端N沟道MOSFET驱动而设计。该器件针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现基于电桥的简单灵活设计。ISL83202的典型输入至输出传播延迟低至25ns，用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs，非常适合高达200kHz的开关频率。 ISL83202的死区时间可通过单个电阻进行编程。该器件的四个独立驱动器控制输入（ALI、AHI、BLI和BHI）允许驱动各种可能的开关组合，但会避免出现直通情况。全局禁用输入DIS可覆盖输入控制，当该引脚拉低时，ISL83202会对自举电容进行刷新。集成的欠压保护和直通保护功能确保了系统的可靠运行。 ISL83202提供紧凑的16引脚SOIC和16引脚PDIP封装，工作温度范围为-55℃至+125℃。

商品特性

可在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道FET
自举电源最大电压：70VDC
在+50℃的自由空气中驱动1000pF负载时，上升和下降时间为15ns（典型值）
用户可编程死区时间范围为0.1至4.5μs
DIS（禁用）引脚可覆盖输入控制，拉低时刷新自举电容
输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
具备直通保护功能
具备欠压保护功能
提供无铅加退火版本（符合RoHS标准）

应用领域

不间断电源系统
直流电机控制
全桥电源
开关功率放大器
噪声消除系统
电池供电车辆
外设
中/大型音圈电机

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	4
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	8.5V~15V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	9ns
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	40ns
	特性	欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)
	工作温度	-55℃~+125℃
	静态电流(Iq)	2.3mA