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P67001EXG8

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: P67001EXG8
商品编号: C2680258
商品封装: ESOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

IDTP67001是一款高频单相MOSFET驱动器，在同步整流降压稳压器电源应用中，可为高端和低端功率N沟道MOSFET提供12V栅极驱动。IDTP67001与IDT VR12控制器和外部MOSFET兼容，可为先进微处理器构成完整的核心电压稳压器。IDTP67001检测PWM控制器发送的DE#低电平有效信号，并激活二极管仿真功能，以实现高效轻载运行。在正常情况下，IDTP67001以连续导通模式（CCM）PWM模式运行。 IDTP67001的输出驱动器可高效切换功率MOSFET，频率高达1 MHz，从而最大限度提高电源效率并减小尺寸。在3nF负载下，IDTP67001的输出典型上升和下降时间小于30ns。 IDTP67001集成了直通保护电路，可防止上下MOSFET同时导通。在多相PWM控制器控制整个系统之前，IDTP67001可在初始启动期间检测故障情况，以防止降压稳压器输出端出现灾难性高压。内部自举二极管降低了总体解决方案成本和外部元件数量。IDTP67001通过低端MOSFET实现二极管仿真模式，以防止电感电流反向。IDTP67001采用带散热片的热增强型SO - 8封装。

商品特性

驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。
50V内部自举肖特基二极管。
肖特基二极管串联6Ω电阻，保护驱动器免受电路板寄生效应引起的电压尖峰影响。
直通保护
高达1 MHz的高开关频率
1A源电流和2A灌电流能力
快速上升/下降时间，降低开关损耗
传播延迟时间 < 30ns
故障检测和负载保护电路
三态PWM输入允许在关机期间两个栅极输出驱动为低电平，并使电感与负载断开连接。
带控制引脚的同步FET二极管仿真模式可提高轻载效率。
采用带金属焊盘的热增强型8引脚SOIC封装，热阻低。
无铅且符合RoHS标准。

应用领域

台式机/企业级计算机
VR12 CPU/GPU多相稳压器
电池供电设备
电压调节模块

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	1A

	属性	参数值
	工作电压	10.8V~13.2V
	下降时间(tf)	12ns
	特性	-
	工作温度	0℃~+70℃