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SIP2204EMP-T1-GE4实物图
  • SIP2204EMP-T1-GE4商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIP2204EMP-T1-GE4

SIP2204EMP-T1-GE4

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIP2204EMP-T1-GE4
商品编号
C2680281
商品封装
QFN-32-EP(5x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置-
负载类型MOSFET
属性参数值
工作电压10V~24V
特性-
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

SiP2204是一款四通道、完全集成的单片功率级器件,针对多相同步降压应用进行了优化。该器件具有极快的传播速度,可实现高达10 MHz/通道的开关频率,并提供高功率密度设计,适用于下一代4G基站中射频功率放大器的包络跟踪电源等应用。 SiP2204采用QFN32 5×5封装,支持最高24 V的输入电压,每个通道可提供500 mA的连续电流。 SiP2204集成了四个独立的MOSFET栅极驱动IC,可与3.3 V和5 V的PWM输入配合使用。

商品特性

  • QFN32 5×5封装
  • 功率级输入最高24 V
  • 每通道500 mA连续电流
  • 每通道2 A峰值电流能力
  • 可实现超过5 MHz的高频操作
  • 3.3 V和5 V PWM逻辑
  • 低PWM传播延迟(典型值13 ns)
  • 使能功能,禁用时可将输出置于高阻抗状态
  • 结温范围:-40 ℃至+125 ℃

应用领域

  • 射频功率放大器(基于LDMOS、GaAs FET、GaAs HBT或GaN)的包络跟踪(ET)电源
  • 同步降压转换器

数据手册PDF