SIC783ACD-T1-GE3

SiC783A是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。该器件采用威世（Vishay）专有的6 mm × 6 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的电流。

• 内部功率MOSFET采用了威世最先进的沟槽MOSFET技术，达到行业标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。
• SiC783A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管，以及可在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）功能。该驱动器与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM逻辑（3.3 V）以及零电流检测功能，以提高轻载效率。
• 热增强型PowerPAK MLP66 - 40L封装
• 集成肖特基二极管的行业标杆MOSFET
• 可提供高达50 A的连续电流
• 最高1 MHz的高频运行
• 针对12V输入轨应用进行优化
• 具有三态阈值的3.3 V PWM逻辑
• 用于提高轻载效率的零电流检测控制
• 短PWM传播延迟（<20 ns）
• 热监测标志
• 更快的关断功能
• V_CIN欠压锁定（UVLO）

• 同步降压转换器
• 用于CPU、GPU和内存的多相VRD
• DC/DC负载点（POL）模块