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BTS3160DAUMA1
10毫欧智能低端功率开关
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- 描述
- BTS3160D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 13封装的单通道锁存型低端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件由采用智能功率技术的控制芯片控制
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS3160DAUMA1
- 商品编号
- C2680314
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 低侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 7.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 6V~30V | |
| 导通电阻 | 10mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP) |
商品概述
BTS3160D 是一种采用 PG-TO-252-5-13 封装的单通道锁定低侧电源开关，具有嵌入式保护功能。该功率晶体管由 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。设备通过智能功率技术控制芯片进行控制。
该设备能够切换各种电阻性、电感性和电容性负载。对于灯负载，需要考虑灯的浪涌电流，其值为额定电流的八到十倍。最大浪涌电流必须低于最小短路关断电流。
Vs 和 IN/Fault 引脚相对于 GND 的 ESD 保护。
BTS3160D 通过 Vs 引脚供电。此引脚可以连接到电池线路。供电电压由欠压锁定电路监控。栅极驱动单元允许设备即使在 3.3V 输入信号下也能在低欧姆范围内工作。对于 PWM 应用，由于嵌入了边沿整形功能，设备可以实现平滑的开启和关闭，以减少 EMC 噪声。
过压保护用于在负载倾卸或电感关闭条件下提供保护。当漏源电压过高时，功率 MOSFET 会限制该电压。即使没有供电，此功能也可用。
过温保护可防止因过载和散热不良导致的设备过热。为了减少设备压力，在热关断期间禁用了边沿整形功能。热关断后，设备将保持关闭状态，直到通过 IN-Low 信号复位锁存器。对于高动态过载条件（如短路），当达到一定负载电流时，设备将关闭。短路关断是锁存功能。设备将保持关闭状态，直到通过 IN-Low 信号复位锁存器。为了减少设备压力，在短路关断期间也禁用了边沿整形功能。
商品特性
- 与3.3V或5V微控制器兼容的逻辑电平输入
- 由Vbb线路供电，低至6V
- 极低的整体漏电流
- 提供数字故障信息
- 静电放电保护 (ESD)
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 通过AEC认证
应用领域
- 与微控制器兼容的低压侧电源开关，带有用于12V负载的数字反馈
- 适用于所有类型的电阻性、电感性和电容性负载
- 适合高涌流负载，如灯泡
- 也适用于LED，因为漏电流低
- 替代机电继电器、保险丝和分立电路