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A5929KLPTR-T实物图
  • A5929KLPTR-T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

A5929KLPTR-T

汽车级全桥MOSFET驱动器

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描述
A5929是一款全桥控制器,适用于n沟道外部功率MOSFET,专为汽车应用而设计。独特的电荷泵稳压器可在电池电压低至7 V时提供全(>10 V)栅极驱动,并允许A5929在电池电压低至5.5 V时以降低的栅极驱动运行。自举电容用于为n沟道MOSFET提供所需的高于电池的电源电压
商品型号
A5929KLPTR-T
商品编号
C2680298
商品封装
ETSSOP-24-EP​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥
负载类型MOSFET
驱动通道数4
工作电压5.5V~50V
上升时间(tr)35ns
属性参数值
下降时间(tf)20ns
传播延迟 tpLH90ns
传播延迟 tpHL90ns
特性过热保护
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

A5929是一款全桥控制器,适用于n沟道外部功率MOSFET,专为汽车应用而设计。 独特的电荷泵稳压器可在低至7 V的电池电压下提供全(>10 V)栅极驱动,并允许A5929在低至5.5 V的电池电压下以降低的栅极驱动运行。自举电容用于为n沟道MOSFET提供高于电池电源的电压。 全桥中的四个功率MOSFET各有一个逻辑电平输入,允许电机通过外部控制器定义的任何PWM方案驱动。集成的交叉导通控制可防止功率MOSFET发生交叉导通。 每个MOSFET上的独立漏源电压监视器可检测电机相短路到电源和短路到地的情况。单个开漏故障输出可指示短路故障、电源欠压和芯片过热情况。 A5929采用带有外露散热焊盘的24引脚TSSOP功率封装(封装类型LP)。该封装有无铅版本,采用100%雾锡引脚框架电镀(后缀 -l)。

商品特性

  • 适用于n沟道MOSFET的高电流全桥栅极驱动
  • 交叉导通保护
  • 5.5 V至50 V电源电压范围
  • 电机相短路到电源和短路到地检测
  • 欠压、过热监测
  • 低电流睡眠模式

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(8000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个8000个/圆盘

总价金额:

0.00

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