SIC645ALR-T1-GE3

SiC645是一款智能VRPower®器件，集成了一个高端和低端MOSFET、一个高性能驱动器以及集成式自举FET。SiC645提供高精度的电流和温度监测功能，监测数据可反馈给控制器和倍频器，以构成一个多相DC/DC系统。通过省去DCR感测网络及相关的热补偿，该器件简化了设计并提升了性能。通过专用的低端控制引脚可实现轻载高效运行。业界领先的热增强型双冷却5 mm × 5 mm PowerPAK® MLP封装，可最大程度减少PCB整体占用面积，并实现低外形结构。 该器件具备3.3 V（SiC645A）或5 V（SiC645）兼容的三态PWM输入，与多相PWM控制器协同工作时，可在异常工作条件下提供可靠的解决方案。SiC645还通过集成欠压锁定（UVLO）、过温和过流故障保护功能，提高了系统性能和可靠性。漏极开路故障报告引脚简化了智能VRPower器件与多相控制器之间的握手过程，可在启动和故障条件下禁用控制器。

• 输入范围：4.5 V至18 V
• 支持60 A直流电流
• 兼容3.3 V（SiC645A）和5 V（SiC645）三态PWM
• 负斜率电流感测
• 带REF_IN输入的±3%精度电流监测器（IMON）
• 带过热标志（OT flag）的8 mV/℃温度监测器
• 专用低端FET控制输入
• 故障保护 - 高端FET短路和过流保护 - 过温保护 - V_CC和V_IN欠压锁定（UVLO）
• 漏极开路故障报告输出
• 最高2 MHz开关频率

• 高频高效VRM和VRD
• 微处理器的核心、图形和内存稳压器
• 服务器、网络和云计算的高密度VR
• 负载点（POL）DC/DC转换器和视频游戏机