SIC657CD-T1-GE3

SiC657是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC657采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。 SiC657集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。 它包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。该器件还支持PS4模式，以降低系统在待机状态下的功耗。

• 热增强型PowerPAK MLP55-31 L封装，符合RoHS标准
• 威世第四代MOSFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管，无卤素
• 可提供超过50 A的连续电流，10 ms峰值电流可达55 A
• 高效性能
• 高达2 MHz的高频运行
• 针对19 V输入级优化的功率MOSFET
• 具有三态和闭锁功能的5 V PWM逻辑
• 支持IMVP8轻载要求的PS4模式，关机电源电流低（5 μA，3 μA）
• VCIN欠压锁定

• 用于计算、显卡和内存的多相VRD
• 英特尔IMVP - 8 VR功率传输 - 酷睿（Skylake）、酷睿（Kabylake）平台的VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - 阿波罗湖（Apollo Lake）平台的VCCGI
• 高达24 V轨输入的DC/DC VR模块