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SIC652CD-T1-GE3
SIC652CD-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC652CD-T1-GE3
- 商品编号
- C2680260
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 4.5V~24V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 特性 | 过流保护；过热保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiC652是一款高频集成电源级，专为同步降压应用优化，提供高电流、高效率和高功率密度性能，并且关断电流非常低。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，SiC652使电压调节器设计能够每相提供高达55 A的连续电流。
内部功率MOSFET采用了Vishay最新的TrenchFET技术，该技术提供了行业标杆性能，显著降低了开关损耗和导通损耗。
SiC652集成了一个先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的启动开关以及用户可选的零电流检测功能，以提高轻负载效率。该驱动器还兼容多种PWM控制器，支持三态PWM，以及5 V和3.3 V PWM逻辑。
此外，该设备支持PS4模式，以在系统处于待机状态时降低功耗。
SiC652还提供了工作温度监测、保护功能和警告标志，以增强系统的监控和可靠性。
商品特性
-
高效率
- 增强散热的PowerPAK MLP55-31 L封装，符合标准
- Vishay最新的TrenchFET技术和带集成肖特基二极管的低HALREE侧MOSFET
- 集成低阻抗自举开关
- 优化用于19 V输入级的功率MOSFET
- 支持PS4模式轻负载要求，具有低关断电源电流（5 V, 3 V）
- 零电流检测以提高轻负载效率
-
高度通用
- 具有三态和保持定时器的5 V和3.3 V PWM逻辑
- 具有PS4状态支持的5 V DSBL#、ZCD_EN#逻辑
- 高频操作，最高可达2 MHz
-
坚固可靠
- 提供超过55 A的连续电流，70 A峰值（10 ms）和100 A峰值（10 μs）
- 过流保护
- 过温标志
- 过温保护
- 欠压锁定保护
- 高侧MOSFET短路检测
-
有效的监控和报告
- 精确的温度报告
- 警告和故障报告标志