SIC531ACD-T1-GE3

SiC531 和 SiC531A 是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC531 和 SiC531A 采用威世（Vishay）专有的 4.5 mm×3.5 mm MLF 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 30 A 的连续电流。 内部功率 MOSFET 采用了威世最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC531 和 SiC531A 集成了先进的 MOSFET 栅极驱动 IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。这些驱动器还与多种 PWM 控制器兼容，支持三态 PWM 以及 3.3 V（SiC531A）/ 5 V（SiC531）PWM 逻辑。

• 热增强型 PowerPAK MLP4535 - 22 L 封装，符合 RoHS 标准
• 采用威世第四代 MOSFET 技术，低侧 MOSFET 集成肖特基二极管，无卤
• 可提供高达 30 A 的连续电流，10 ms 峰值电流可达 35 A
• 高效性能
• 最高可实现 1.5 MHz 的高频运行
• 功率 MOSFET 针对 19 V 输入级进行了优化
• 具有三态和闭锁功能的 3.3 V（SiC531A）/ 5 V（SiC531）PWM 逻辑
• 零电流检测控制，可提高轻载效率
• 低 PWM 传播延迟（<20 ns）
• VCIN 欠压锁定

• 用于计算、显卡和内存的多相 VRD
• 英特尔 IMVP - 8 VR 电源输送 - 酷睿（VCORE）、图形（VGRAPHICS）、系统代理（VSYSTEM AGENT），适用于 Skylake、Kabylake 平台 - 适用于 Apollo Lake 平台的 VCCGI
• 最高 18 V 轨输入 DC/DC VR 模块