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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LMG3410R070RWHR

具有集成驱动器和保护功能的600V GaN功率级

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描述
LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LMG3410R070RWHR
商品编号
C2680280
商品封装
VQFN-32-EP(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数1
工作电压9.5V~18V
上升时间(tr)15ns
属性参数值
下降时间(tf)4.2ns
传播延迟 tpLH20ns
传播延迟 tpHL36ns
特性过流保护(OCP);过热保护(OPT);欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)500uA

商品概述

LMG341xR070 GaN功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR070通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅GaN和独立GaN FET的替代产品,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关(Vds振铃几乎为零),低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

商品特性

  • TI GaN工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
  • 与共源共栅或独立GaN FET相比具有卓越的系统性能
  • 低电感8mm×8mm QFN封装简化了设计和布局
  • 可调节驱动强度确保开关性能和EMI控制
  • 数字故障状态输出信号
  • 仅需+12V非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
  • 零共源电感20ns传播延迟确保MHz级工作频率
  • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
  • 25到100V/ns的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
  • 无需外部保护组件
  • 过流保护,响应时间低于100ns
  • 压摆率抗扰性高于150V/ns
  • 瞬态过压抗扰度
  • 过热保护
  • 针对所有电源轨的UVLO保护

应用领域

  • 高密度工业电源和消费类电源
  • 多电平转换器
  • 光伏逆变器
  • 工业电机驱动器
  • 不间断电源
  • 高电压电池充电器

优惠活动

购买数量

(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2000个/圆盘

总价金额:

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