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DGD2184MS8-13
600V半桥栅极驱动器
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- 描述
- DGD2184M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2184M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2184M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD2184MS8-13
- 商品编号
- C2677193
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.4A | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 585ns | |
| 传播延迟 tpHL | 170ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1mA |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1.4A，1.8A |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO 类 TH |
| 上升/下降时间（典型值） | 40ns，20ns |
| 电压-供电 | 10V ~ 20V |
| 逻辑电压?-VIL，VIH | 0.8V，2.5V |
优惠活动
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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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