SIP41111DY-T1-E3
SIP41111DY-T1-E3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIP41111DY-T1-E3
- 商品编号
- C2677211
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 9V~13.2V | |
| 上升时间(tr) | 13ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SiP41111是一款MOSFET驱动器，专为简化需要高端开关的拓扑结构（如半桥、双开关正激和有源钳位正激）的转换器设计。由于高端和低端驱动器可独立控制，因此可进行配置以满足这些拓扑结构的不同驱动需求。内置自举二极管省去了外部二极管，提高了PCB布局的灵活性。VDD欠压锁定功能可防止异常操作。 SiP41111集成电路是高速2A半桥MOSFET驱动器，工作电压范围为9V至13.2V。该驱动器旨在直接驱动半桥拓扑及其他需要高端开关MOSFET的拓扑结构中的上MOSFET开关，无需任何隔离器件。 热增强型PowerPak SOIC封装能够散发更多热量，以满足高达400kHz的开关频率要求，同时驱动总栅极电容为1000pF的MOSFET，典型上升和下降时间为15ns。
商品特性
- 驱动N沟道MOSFET半桥拓扑结构
- 提供SOIC、SOIC（PowerPAK）封装选项，有符合RoHS标准的无铅（Pb）产品
- 自举电源最大电压可达75VDC
- 内置自举二极管
- 快速传播时间满足高频转换器电路要求
- 驱动1000pF负载时，典型上升和下降时间为15ns，满足400kHz典型开关要求
- 双开关正激和有源钳位正激拓扑结构采用独立驱动通道
- 低功耗
- 电源欠压锁定
- 2.0A峰值灌电流和拉电流栅极驱动能力
应用领域
- 半桥转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- 总线转换器
- 电机控制