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ISL6625AIRZ-T

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6625AIRZ-T
商品编号: C2677221
商品封装: DFN-8-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL6625A是一款高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET而设计。在ISL6625A中，上下栅极均被驱动至外部施加的电压。这使得在栅极电荷和传导损耗之间进行权衡的应用能够得到优化。集成了先进的自适应直通保护功能，可防止上下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。ISL6625A集成了一个10kΩ的高端栅源电阻，以防止因高输入总线dV/dt导致的自导通。该驱动器还具备过压保护功能，当VCC低于上电复位（POR）阈值时，此功能仍可正常工作。PHASE节点通过一个30kΩ电阻连接到低端MOSFET的栅极（LGATE），将转换器的输出电压限制在接近低端MOSFET的栅极阈值。这取决于分流电流，若高端MOSFET发生短路，可为负载提供一定保护。

商品特性

用于同步整流桥的双MOSFET驱动
先进的自适应零直通保护
- PHASE检测
- LGATE检测
- rDS(ON)传导偏移效应自动归零
低待机偏置电流
36V内部自举开关
防止自举电容过充电
集成高端栅源电阻，防止因高输入总线dV/dt导致的自导通
启动和关断时的预POR过压保护
电源轨欠压保护
可扩展底部铜焊盘，增强散热性能
双扁平无引脚（DFN）封装——接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，外形更薄
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

高光负载效率电压调节器
先进微处理器的核心调节器
大电流DC/DC转换器

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优惠活动

购买数量

(6000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个6000个/圆盘

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	5.5V~13.2V
	上升时间(tr)	31ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	-40℃~+85℃