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HIP4083ABZT实物图
  • HIP4083ABZT商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HIP4083ABZT

HIP4083ABZT

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商品型号
HIP4083ABZT
商品编号
C2677264
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型MOSFET
驱动通道数3
灌电流(IOL)450mA
属性参数值
拉电流(IOH)400mA
工作电压7V~15V
上升时间(tr)35ns
下降时间(tf)30ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

HIP4083是一款三相高端N沟道MOSFET驱动器,专门针对PWM电机控制设计。两个HIP4083可一起用于三相全桥应用。或者,下桥栅极可直接由带缓冲的微处理器输出控制。 与HIP408x系列的其他产品不同,HIP4083没有内置导通延迟。每个输出(AHO、BHO和CHO)在其输入切换为低电平后65ns导通。同样,每个输出在其输入切换为高电平后60ns关断。当使用两个HIP4083驱动全桥时,可实现极短和极长的死区时间。该死区时间由输入信号时序控制。 HIP4083没有内置电荷泵。因此,必须通过启动短刷新脉冲定期对自举电容进行充电。在大多数桥接应用中,每次下桥FET导通、上桥FET关断时,这一过程会自动发生。不过,HIP4083仍可用于需要高端FET长时间导通的应用。通过向DIS引脚发送短刷新脉冲即可轻松实现。 与HIP4086相比,HIP4083的驱动电流较小,非常适合中低功率应用。HIP4083针对尺寸和成本至关重要的应用进行了优化。对于驱动大功率FET的高功率应用,建议使用HIP4086。

商品特性

  • 以三相桥接配置独立驱动三个高端N沟道MOSFET
  • 自举电源最大电压达95VDC
  • 偏置电源工作电压范围为7V至15V
  • 驱动1000pF负载时,典型上升时间为35ns,典型下降时间为30ns
  • 兼容CMOS/TTL输入
  • 可编程欠压保护
  • 提供无铅版本

应用领域

  • 无刷电机
  • 高端开关
  • 交流电机驱动器
  • 开关磁阻电机驱动器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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