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DGD21064MS14-13

品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD21064MS14-13
商品编号: C2677199
商品封装: SO-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

DGD21064M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21064M的高端在自举操作中可切换至600V。 DGD21064M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在将驱动器的交叉导通降至最低。 DGD21064M采用SO-14封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达600V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
输出耐受负瞬变
宽逻辑和低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
宽逻辑电源电压偏移电压：-5V至5V
逻辑输入（HIN和LIN）具备3.3V驱动能力
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
高端和低端驱动器欠压锁定
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件

应用领域

DC-DC转换器
DC-AC逆变器
AC-DC电源
电机控制、D类功率放大器

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交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)

个

起订量：2500 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	100ns
	下降时间(tf)	35ns
	工作温度	-40℃~+125℃