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DGD05473FNQ-7
DGD05473FNQ-7
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- 描述
- DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD05473FNQ-7
- 商品编号
- C2677131
- 商品封装
- DFN-10-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 4.7V~14V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 16ns | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 23ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 130uA |
商品概述
DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。 DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口。高端和低端的欠压锁定（UVLO）功能可在电源丢失时保护MOSFET。为保护MOSFET，交叉导通防止逻辑可避免HO和LO输出同时导通。 快速且匹配良好的传播延迟允许实现更高的开关频率，从而能够使用更小的相关组件，实现更小巧紧凑的电源开关设计。该器件内置自举二极管，以最小化占用空间。DGD05473FNQ采用U-DFN3030-10封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。
商品特性
- 50V浮动高端驱动器
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
- 1.5A源电流/2.5A灌电流输出能力
- 内置自举二极管
- 高端和低端驱动器具备欠压锁定功能
- 延迟匹配最大为5ns
- 传播延迟典型值为20ns
- 逻辑输入（HIN、LIN和EN）支持3.3V
- 超低待机电流（<1μA）
- 扩展温度范围：-40℃至+125℃
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 电池供电的手动工具
- 电子烟设备
- D类功率放大器
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交10单